国产SSD将迎来爆发长江存储自主开发64层3D闪存已量产

 发布时间:20-03-25

根@据楚Ⅱ天都市报的报道,长江存储科技→有限责ↆ任公司副董事长杨道√虹表示,国家存储器╯╰基地项目经过3年的建设已经取♧得了阶段性成效,*自主开发的6∩4ↇ层三维闪存产√品♂实现量产。

据介绍,杨∩道虹表示,ↀ当前以及今后一段时间他们目前的任务是如期达成月产能10万片,在⿸二期↙项目中将会达ǐ到§30๑万片/月产能≡。

根据之╦╧前的介绍,长江存储科技有限责任公司早在2018年就公开发布其突破性技术——Xtacking,该技术将大幅提升NAN∽D I/O速度到╟3♀.0Gbps。

根据官方的说明,采用ⓥXt۞acking技术,可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于εїз选择合适的先进逻辑工艺,以让NAND获取更高的I/O接@口速度及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完┕工后,创新的Xtacking 技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Acξcesses₪큐,垂直互҉联通道∑)将二者键合接通电︵路,而З且只增加了≒有限的成本。

现在,长江存储已成功将Xtacking 技术应用于其第二代3D NAND产品的开发,大规Ⅰ模量产之⿳后,预计Π会有更多的♨储存产品用上国』产〩芯片。

杨道虹还透露称,不仅6↕4层三维闪存产品实现量产,更高层的三维闪存产品研#发也取得阶段性成果,进☉一步缩短了φ与国际龙头企业的差距。

据悉,长江存储科技有限责任公司于2016年ω7月26日在武汉东卐湖新技术开发区登记成立,公司经营范围包括半导体集成电路科技领域内的❤技术开发;集成电路及相关产品的设计等。